ECSEL 2014 RIA, OSIRIS, Linköpings universitet
| Diarienummer | |
| Koordinator | Linköpings universitet - IFM, Linköping University |
| Bidrag från Vinnova | 4 153 830 kronor |
| Projektets löptid | maj 2015 - januari 2019 |
| Status | Avslutat |
Syfte och mål
Att utveckla en produktionsmetod för isotopren kiselkarbid. Indikationer finns på att isotopren kiselkarbid har högre termisk ledningsförmåga än kiselkarbid med den naturliga isotopfördelningen. Projektet har som mål att demonstrera tillverkning av material och att tillverka halvledarkomponenter för hög frekvens (GaN HEMT) och hög spänning (SiC PIN) för att verifiera om den förbättrade värmeledningen från komponenternas aktiva del förbättrar prestandan på komponenterna.
Resultat och förväntade effekter
Projektet har demonstrerat tillväxt av isotopren kiselkarbid av hög kvalitet. Materialet har precis som förväntat högre termisk ledningsförmåga än kiselkarbid med naturlig isotop fördelning. Högfrekvenskomponenterna blir mer robusta vilket innebär än förbättrad livslängd medan inte någon större skillnad kunnat demonstreras för kraftkomponenterna.
Upplägg och genomförande
Linköping universitet (Sverige) har tillverkat skikt med isotopren kiselkarbid på substrat från Norstel (Sverige). Sedan har komponenter tillverkats och verifierats på Ascatron (Sverige) och Thales III-V lab (Frankrike). Övriga deltagare i projektet har arbetat med framställning av metoder för att tillverka gas med isotopren kisel, olika mätningar och simuleringar på material och komponenter.