SMF C3NiT: Optimering av gasutnyttjande vid tillverkning av GaN

Viktiga resultat som projektet gav

Vid den epitaxiella processen för tillverkning av halvledarmaterialet galliumnitrid (GaN) så är gasutnyttjandet relativt lågt och tillväxthastigheten relativt låg. Försök har gjorts för att förbättra tillväxten genom att använda en katalysator. Katalysatorn hade dock ingen avgörande inverkan.

Långsiktiga effekter som förväntas

Utgångsprocessen var optimerad och det förväntades därför att införandet av en katalysator skulle ändra resultatet signifikant. Dock skedde inte detta. Det finns väldigt många parametrar att variera, till exempel temperaturen hos katalysatorn, katalysatorns geometriska utformning, avståndet mellan katalysatorn och tillväxtzonen, gasens sammansättning och hastighet. I de försök som utförts har processen inte påverkats signifikant vilket dock inte utesluter att det kan finnas ett annat processfönster där katalysatorn har en påtaglig inverkan.

Upplägg och genomförande

Försöken har utförts i en hetväggsreaktor vid Linköpings Universitet i samarbete med personal från Linköpings Universitet. Varje test är relativt kostsamt varför de begränsats till cirka 10 experiment. Reaktorn har använts för liknande körningar under lång tid varför det finns gott om jämförelsematerial. Försökens inriktning har bestämts gemensamt av Epiluvac och personal vid Linköpings Universitet. Mätning och utvärdering av resultaten har i första hand gjorts av doktorander vid Linköpings universitet.