SMF C3NiT: Modelling and Verification of GaN Growth System
| Diarienummer | |
| Koordinator | SWEGAN AB |
| Bidrag från Vinnova | 333 300 kronor |
| Projektets löptid | september 2018 - februari 2019 |
| Status | Avslutat |
| Utlysning | Kompetenscentrum |
Syfte och mål
Modellering och mätning av flödesprofilen i en epitaxiell reaktor har utförts. Mätresultaten stämmer mycket väl överens med modellerna.
Resultat och förväntade effekter
Det arbete som utförts kommer leda till väsentligt förbättrad uniformitet på odlade skikt samt möjliggöra en enkel uppskalning av epitaxiella reaktorer.
Upplägg och genomförande
Modellerna genomfördes och en metod för att mäta undersöktes och beslutades. Arbetet gjordes tillsammans med Epiluvac AB. Mätmetoden var inte beprövad men fungerade över förväntan.