SMF C3NiT: Modelling and verification of GaN growth system WP1
| Diarienummer | |
| Koordinator | EPILUVAC AB |
| Bidrag från Vinnova | 333 333 kronor |
| Projektets löptid | september 2018 - december 2018 |
| Status | Avslutat |
| Utlysning | Kompetenscentrum |
Syfte och mål
En ny CVD epitaxireaktor för galliumnitrid (GaN) har installerats och driftsatts i SweGaN-laboratoriet, beläget vid Linköpings universitet. Omfattande modellering har gjorts tidigare och i detta projekt jämförde vi resultaten från teoretiska beräkningar med data mätt i den verkliga reaktorn.
Resultat och förväntade effekter
Mätresultaten överenstämmer väl med de resultat som den teoretiska modellen och simuleringarna gav. Skillnaden ligger inom felmarginalerna för mätningen. Mätningarna har också gett oss en uppfattning inom vilka gränser gällande tryck, temperatur och flöde som reaktorn kan användas på ett optimalt sätt.
Upplägg och genomförande
Temperaturmätningar gjordes i 25 olika mätpunkter i reaktorn. För varje punkt mättes temperaturen för olika flöde, tryck och temperaturer i tillväxtzonen. All data loggades och utvärderades. Sammanlagt noterades runt 2000 olika mätvärden. Analysarbetet och utvärderingen blev därför omfattande och tidskrävande. Men genom att göra 3D-diagram blev det möjligt att relativt enkelt att se trender och hitta systemets ’sweet spot’.