Du har inte javascript påslaget. Det innebär att många funktioner inte fungerar. För mer information om Vinnova, ta kontakt med oss.

Vi vill göra vår webbplats bättre för dig. Vi skulle därför uppskatta om du tog 1-2 minuter att svara på några frågor. Tyck till om Vinnovas webbplats

SMF C3NiT: Modelling and verification of GaN growth system WP1

Diarienummer
Koordinator EPILUVAC AB
Bidrag från Vinnova 333 333 kronor
Projektets löptid september 2018 - december 2018
Status Avslutat
Utlysning Kompetenscentrum

Syfte och mål

En ny CVD epitaxireaktor för galliumnitrid (GaN) har installerats och driftsatts i SweGaN-laboratoriet, beläget vid Linköpings universitet. Omfattande modellering har gjorts tidigare och i detta projekt jämförde vi resultaten från teoretiska beräkningar med data mätt i den verkliga reaktorn.

Resultat och förväntade effekter

Mätresultaten överenstämmer väl med de resultat som den teoretiska modellen och simuleringarna gav. Skillnaden ligger inom felmarginalerna för mätningen. Mätningarna har också gett oss en uppfattning inom vilka gränser gällande tryck, temperatur och flöde som reaktorn kan användas på ett optimalt sätt.

Upplägg och genomförande

Temperaturmätningar gjordes i 25 olika mätpunkter i reaktorn. För varje punkt mättes temperaturen för olika flöde, tryck och temperaturer i tillväxtzonen. All data loggades och utvärderades. Sammanlagt noterades runt 2000 olika mätvärden. Analysarbetet och utvärderingen blev därför omfattande och tidskrävande. Men genom att göra 3D-diagram blev det möjligt att relativt enkelt att se trender och hitta systemets ’sweet spot’.

Texten på den här sidan har projektgruppen själv formulerat. Innehållet är inte granskat av våra redaktörer.

Senast uppdaterad 24 oktober 2018

Diarienummer 2018-03834

Statistik för sidan