RF-komponentteknologi för Si/SiC hybridsubstrat

Diarienummer 2010-02707
Koordinator Uppsala universitet - Institutionen för teknikvetenskaper
Bidrag från Vinnova 500 000 kronor
Projektets löptid november 2010 - september 2012
Status Genomfört

Syfte och mål

Syftet med projektet var att vidareutveckla Si/SiC hybridsubstratet, nu inom´harsh-environment´. Till projektet knöts därför partners som hade detta intresse, där ett av målen var att demonstrera en radiokrets som fungerar vid 200 C. Ett annat mål var att ta fram 150 mm substrat för tillverkning på foundry. Projektet har inte kunnat uppfylla alla delmål, pga bland annat problem vid tillverkningen. Den slutliga demonstratorn blev inte realiserad. Dock uppvisade LDMOS transistorer bra prestanda och principen för komponentdesign för höga temperaturer verifierades.

Resultat och förväntade effekter

Utvärdering av tillverkade hybridsubstrat visar på mycket bra materialegenskaper. Nya resultat visar mobilitetsprofiler i materialet såväl som god GOI (gate oxide integrity). LDMOS transistorer på SOI och högresistivt kisel har mycket bra prestanda med drivströmmar över 500 mA/mm. MOS-transistorer designade för hög temperatur led däremot av för hög onresistans och för låg drivström av okänd anledning. Dock uppvisades liten temperaturkänslighet i enlighet med förväntningarna.

Upplägg och genomförande

Samarbetet mellan ingående parter, UU, åAC, Silex och Comheat har fungerat bra och enligt plan. Kravspec från åAC styrde konstruktion och förarbeta av UU och Comheat. Arbetet med att ta fram ny hybridsubstrat skedde med täta kontakter mellan UU och Silex. Utvärdering av transistorer skedde i samarbete mellan UU och Comheat.

Texten på denna sida har projektgruppen själv formulerat och innehållet är ej granskat av våra redaktörer.