EUREKA Eurostars E! BESIDES 7760 Ascatron

Diarienummer 2013-01245
Koordinator ASCATRON AB
Bidrag från Vinnova 4 299 000 kronor
Projektets löptid april 2013 - september 2016
Status Avslutat

Syfte och mål

Projektet syftar till att utveckla krafthalvledare för krävande tillämpningar med temperaturer upp till 250C. Projektet är ett samarbete med Cissoid från Belgien. Ascatron har i projektet utvecklat kiselkarbid dioder och transistorer baserade på vårt ´Buried Grid´ koncept. Cissoid har utvecklat kapsling och tagit fram ett demonstrationssystem. Ascatron har nått målet för 1200V dioder.

Resultat och förväntade effekter

Projektet har resulterat i en design och tillverkningsprocess av kiselkarbid kraftdioder för krävande tillämpningar. Detta har lett till att Ascatron nu arbetar med att ta fram sina första komponentprodukter. För detta har Ascatron tagit in totalt 4M Euro i finansiering.

Upplägg och genomförande

Projektarbetet delades in i följande delar: 1. System och komponent specifikation 2. Utveckling av tillverkningsprocesser för kiselkarbidkomponenter 3. System och komponent design 4. Tillverkning av komponenter och demosystem 5. Karakterisering 6. Systemdemonstration Arbetet har till stor del kunnat ske separat hos Ascatron och Cissoid genom tydlig ansvarsfördelning. Resultatet från systemanalys visade på behov av högspänningskomponenter för relativt små effekter och betydelsen av normally-off transistorer för de flesta applikationerna.

Texten på denna sida har projektgruppen själv formulerat och innehållet är ej granskat av våra redaktörer. Projektets koordinator kan ge dig mer information.