ECSEL 2014 RIA OSIRIS Norstel AB

Diarienummer 2015-00994
Koordinator Norstel Aktiebolag
Bidrag från Vinnova 2 232 447 kronor
Projektets löptid maj 2015 - januari 2019
Status Pågående
Utlysning Ecsel

Syfte och mål

Projektet syftar till att avsevärt förbättra kostnadseffektivitet och prestanda hos kraftkomponenter baserade på galliumnitrid (GaN) genom att utveckla ett innovativt SiC-material med hjälp av enskilda isotoper av kisel och kol. Materialet kommer att ha 30% bättre värmeledningsförmåga, något som är viktigt speciellt för kraftelektronik, såsom GaN HEMT odlade på SiC-substrat. Målet är att producera en GaN HEMT som är minst 30% mer effektiv än motsvarande komponent baserad på naturlig SiC.

Förväntade effekter och resultat

Projektet kommer att underlätta GaN-teknologins penetrering på marknaden genom kostnadseffektiva SiC-substrat och förbättrad kretsprestanda tack vare bättre värmespridning i komponenterna. Det uppskattas bland annat att priset på ett 4´´ SI SiC-substrat skulle minska med 45% från 4000 US$ med denna innovativa metod, tack vare användningen av billigare SiCsubstrat som grund.

Planerat upplägg och genomförande

Projektet består av fyra delprojekt: 1) SiC-tillväxt, 2) Heterostrukturer i GaN, 3) Aktiva komponenter och 4) Utvärdering av komponenter. LiU ansvarar för delprojekt 1) och 2) där all materialutveckling kommer att ske. I delprojekt 1) kommer tillväxtprocessen för isotopren SiC att utvecklas. I delprojekt 2) används materialet från 1) för att odla HEMT-strukturer av GaAlN/GaN och InAlN/GaN. Dessa processas och utvärderas sedan i delprojekt 3) och 4) i samarbete med övriga projektpartners.

Texten på denna sida har projektgruppen själv formulerat och innehållet är ej granskat av våra redaktörer.