Dislokationsfri GaN - Ett banbrytande material inom RF-elektronik

Syfte och mål

Målet för projektet var att förbereda kommersialiseringen av en ny waferteknik från Lunds Universitet. Teknologin är unik och möjliggör produktion av helt dislokationsfria GaN-wafers för tillämpning inom kraftelektronik och RF-elektronik.

Resultat och förväntade effekter

Vid projektets slut har en strategi för kommersialisering utvecklats. Parallellt har den underliggande teknologin anpassats för att passa det planerade produkterbjudandet.

Upplägg och genomförande

I stort har projektet slutförts i enlighet med den ursprungliga projektplanen. Ett fåtal leverabler modifierades under projektets gång för att spegla resultaten av affärsutvecklingen.