Dislokationsfri GaN - Ett banbrytande material inom RF-elektronik

Diarienummer 2015-04876
Koordinator Lunds universitet - Fysiska Institutionen
Bidrag från Vinnova 1 955 031 kronor
Projektets löptid januari 2016 - januari 2018
Status Avslutat
Ansökningsomgång 2015-00070-en

Syfte och mål

Målet för projektet var att förbereda kommersialiseringen av en ny waferteknik från Lunds Universitet. Teknologin är unik och möjliggör produktion av helt dislokationsfria GaN-wafers för tillämpning inom kraftelektronik och RF-elektronik.

Resultat och förväntade effekter

Vid projektets slut har en strategi för kommersialisering utvecklats. Parallellt har den underliggande teknologin anpassats för att passa det planerade produkterbjudandet.

Upplägg och genomförande

I stort har projektet slutförts i enlighet med den ursprungliga projektplanen. Ett fåtal leverabler modifierades under projektets gång för att spegla resultaten av affärsutvecklingen.

Texten på denna sida har projektgruppen själv formulerat och innehållet är ej granskat av våra redaktörer.