Digital fördistortions-effektförstärkare (PA) för NB-IoT-standarden
| Diarienummer | |
| Koordinator | Xenergic AB |
| Bidrag från Vinnova | 3 347 200 kronor |
| Projektets löptid | november 2018 - januari 2022 |
| Status | Avslutat |
| Utlysning | Strategiska innovationsprogrammet Smartare elektroniksystem |
| Ansökningsomgång | Smartare Elektroniksystem. Forsknings- och innovationsprojekt 2018 |
Viktiga resultat som projektet gav
En effektförstärkare med digital fördistortion (DPD) som uppfyller kraven på uteffekt, bandbredd, linjäritet och verkningsgrad för NB-IoT-sändare, demonstreras i en 22nm FD-SOI process. Mätningar bekräftar att PA täcker hela frekvensbandet för NB-IoT och LTE-M standarder. Effektförbrukningen och kiselytan för fördistortion är försumbara, jämfört med PA. Flera innovativa RF och digitala tekniker används för att överträffa prestandan hos dagens kiselrealiseringar.
Långsiktiga effekter som förväntas
Vi kommer att slutföra de återstående mätningarna av PAn inom en snar framtid och planerar att publicera resultaten på prestigefyllda konferenser/tidskrifter. En framtidsplan är att integrera hela sändarkedjan inklusive DPD och minne på ett enda chip. Denna enchipslösning kommer att visa att en enstegs PA-lösning kan användas för två olika kommunikationsstandarder, där de olika banden kan konfigureras i tidsdomänen. Xenergic har redan marknadsfört SRAM vid teknikevenemang och kommer att överväga andra CMOS teknologier ör lågspännings-SRAM under 2022.
Upplägg och genomförande
PAn och DPD konstruerades på Lunds universitet (institutionen EIT), medan minnet konstruerades av Xenergic och tillverkades genom företagens egna kanaler. EIT blev tvunget att backa upp en första rekrytering med en mer erfaren forskare, vilket blev framgångsrikt. Xenergics uppgifter fördelades inom teamet och huvudfokus var integrationen av teknologin och lågeffektarkitekturen i Xenergics egen kompilator (MemoryTailor). Kiselmätningar utfördes samtidigt med hjälp av testbäddar vid EIT och Xenergic.