Jonstrålebaserad materialanalys och materialmodifiering för energieffektivare elektronik

Syfte och mål

Kisel är det i särklass vanligaste materialet i elektronikkomponenter. Emellertid, det är möjligt att minska energiförbrukningen genom att använda andra halvledare, t.ex. sådana med stort bandgap (kiselkarbid, diamant..). För kraftelektronik skulle då stora vinster kunna göras genom minskade effektförluster. För att tillfullo utnyttja potentialen hos halvledare med stora bandgap i komponenttillverkning behövs en ökad förståelse och förbättring av ingående processteg, skyddande lager behöver förbättras, strålkänslighet behöver undersökas etc. Huvudfokus i detta projekt är på karakterisering och modifiering med av de bredbandiga halvledarmaterialen kiselkarbid och diamant med jonstrålar. En nya utrustningen ´Medium Energy Ion Scattering´, MEIS, kommer att installeras under 2008 vid Tandemlab. i Uppsala och med den kommer föroreningskoncentrationer och läge av atomer i en tunn film att bestämmas med en precision på ett atomlager. Vidare kommer utrustning vid Tandemlab. att utnyttjas till modifiering och strålningshärdighetstester.

Resultat och förväntade effekter

Förväntat projektutfall: - Tillhandahålla nödvändig kunskap för komponentanalys med MEIS - Meriteringsmöjlighet för kvinnlig forskare - Kunskapsöverföring till svenska företag och institut - Stärkt samarbete UU/KTH inom ramen för jonteknologiskt center (ITC)

Upplägg och genomförande

Projektet består av fyra delmoment. Först kunskapsinhämtning om den ny analysteknik MEIS. Därefter teknisk optimering av ny MEIS utrustning. Sedan följer grundläggand tillämpbar forskning, och avslutningsvis kunskapsöverföring till industri.