Enabling GaN for base station applications

Diarienummer 2015-00865
Koordinator LEAD i Östergötland AB
Bidrag från Vinnova 2 000 000 kronor
Projektets löptid juni 2015 - oktober 2018
Status Beslutat
Ansökningsomgång 2014-06347-en

Syfte och mål

Mobil data växer explosionsartat i världen och det saknas en effektiv teknologi för att hantera det växande trycket på mobila basstationer. Stort hopp ställs till högfrekvenskomponenter (så kallade HEMT transistorer) av galliumnitrid (GaN) men komponenterna har inte tillräckligt hög kvalité. Linköpings universitet har tillsammans med Chalmers tagit fram en GaN HEMT transistor som är ideal för basstationer. Vi skall tillverka transistorer och tillsammans med Ericsson testa dem i en mobil basstation för att verifiera teknologin.

Förväntade effekter och resultat

GaN HEMT transistorer för basstationer kommer växa explosionsartat tack vare att de kan hantera betydligt större mängd data och de har en betydligt högre effektivitet än motsvarande kisel transistorer. Marknaden vid full utbyggnad endast för GaN materialet beräknas ligga omkring 500 miljoner dollar. LiU har spunnit ut ett företag (Classic) som skall sälja materialet till komponenttillverkare. Vi har redan kontakt med en tillverkare som vill utveckla transistorer parallellt med Vinnova projektet för att kunna lansera produkten snabbt.

Texten på denna sida har projektgruppen själv formulerat och innehållet är ej granskat av våra redaktörer.