ECSEL 2014 RIA OSIRIS Ascatron AB

Diarienummer 2015-01001
Koordinator ASCATRON AB
Bidrag från Vinnova 1 933 992 kronor
Projektets löptid maj 2015 - januari 2019
Status Pågående
Utlysning Ecsel

Syfte och mål

Projektet syftar till att avsevärt förbättra kostnadseffektivitet och prestanda hos kraftkomponenter baserade på galliumnitrid (GaN) genom att utveckla ett innovativt SiC-material med hjälp av enskilda isotoper av kisel och kol. Materialet kommer att ha 30% bättre värmeledningsförmåga, något som är viktigt speciellt för kraftelektronik, såsom GaN HEMT odlade på SiC-substrat. Målet är att producera en GaN HEMT som är minst 30% mer effektiv än motsvarande komponent baserad på naturlig SiC.

Förväntade effekter och resultat

Projektet kommer att underlätta GaN-teknologins penetrering på marknaden genom kostnadseffektiva SiC-substrat och förbättrad kretsprestanda tack vare bättre värmespridning i komponenterna. Det uppskattas bland annat att priset på ett 4´´ SI SiC-substrat skulle minska med 45% från 4000 US$ med denna innovativa metod, tack vare användningen av billigare SiCsubstrat som grund.

Planerat upplägg och genomförande

Projektet består av fyra delprojekt: 1) SiC-tillväxt, 2) Heterostrukturer i GaN, 3) Aktiva komponenter och 4) Utvärdering av komponenter. Ascatron deltar i delprojekt 3 och 4 med tillverkning och utvärdering av SiC PiN dioder för materialutvärdering i samarbete med övriga projektpartners.

Texten på denna sida har projektgruppen själv formulerat och innehållet är ej granskat av våra redaktörer.