ECSEL 2014 RIA OSIRIS Ascatron AB
| Diarienummer | |
| Koordinator | ASCATRON AB |
| Bidrag från Vinnova | 1 933 992 kronor |
| Projektets löptid | maj 2015 - januari 2019 |
| Status | Avslutat |
Syfte och mål
Syfte och mål med OSIRIS projektet var framtagning av SiC material med isotoprena källmaterial för att öka prestandan av SiC kraftkomponenter och högfrekventa GaN komponenter genom förbättrade termiska egenskapar av basmaterialet. SiC tillväxt med isotopren källmaterial demonstrerades framgångsrikt och flera skivor med tjocka skikt levererades till Ascatron och III-V LAB för tillverkning av komponenter. 10kV SiC PiN dioder, 1.2kV SiC Schottky dioder och GaN RF-komponenter blev tillverkade med skivorna. Komponenterna blev utvärderade och fungerade som förväntat.
Resultat och förväntade effekter
SiC PiN dioder som blockerar 14kV och SiC Schottky dioder som blockerar 1.4kV blev demonstrerade av Ascatron med OSIRIS skivmaterial. Liknande elektriska prestanda erhölls som för komponenter tillverkade på kommersiella skivor. Termiska mätningar visade lite lägre temperatur på ytan av komponenter med OSIRIS material. Dessa stämde väl med beräkningar av temperaturfördelningen i komponenten. Skillnaden är dock för liten för att ha någon avgörande inverkan på prestanda vi normal drift då huvuddelen av termiska motståndet härrör från kapsling av SiC chip.
Upplägg och genomförande
Ascatron tillverkade och mätte 10kV SiC PiN dioder och 1.2kV Schottky dioder med skivor levererade av de OSIRIS partner Norstel och Linköping Universitet. Skivtillverkningen för sista omgången av PiN dioder blev mycket försenad p.g.a. tillgängligheten av det isotoprena källmaterialet. Detta påverkade komponenttillverkningen som kommer slutföras efter projektets slut och användas i ett MISTRA projekt med GE. Genom att tillverka komponenter för att utvärdera skivmaterial från projektet har Ascatron utvecklat sin tillverkningsteknologi av riktigt högspända SiC dioder.