Uppbyggnad av en Europeisk leverantörskedja för infraröda sensorer baserade på typ-II supergitter.

Viktiga resultat som projektet gav

Syftet med detta projekt var att undersöka odlingstekniker för GaSb på Si med MOCVD (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) som ett första steg för att säkerställa framtida tillgång till substrat för T2SL-baserade IR sensorer inom EU. Lyckad odling av GaSb demonstrerades på GaSb substrat, och lovande initiala resultat har uppnåtts även vid odling av GaSb på GaAs- och Si-substrat. Detta utgör en bra startpunkt för fortsatt arbete inom detta område i planerade uppföljningsprojekt.

Långsiktiga effekter som förväntas

Odling av GaSb med MOCVD visade sig vara mer utmanande än väntat, men trots det lyckades vi standardisera odlingsvillkoren för odling av GaSb på GaSb-substrat och väsentlig kunskap har byggts upp inom odling av GaSb på GaAs- och Si-substrat, som kommer ligga till grund för fortsatt utveckling. Den förväntade effekten är att vi i framtiden kommer kunna tillhandahålla EU-tillverkade substrat som är en viktig länk för att säkerställa volymproduktion av T2SL-baserade IR-sensorer inom EU.

Upplägg och genomförande

Detta arbete har utförts in nära samarbete mellan IRnova och KTH. IRnova har varit ansvariga för litteraturstudien för MOCVD-odling av GaSb och T2SL på både GaSb-, GaAs- och Si-substrat samt bildandet av en referensgrupp för fortsatt samarbete inom kommande EU-projekt. KTH har utfört all odling och materialkarakterisering och båda parter har gemensamt handlett en exjobbare som tagit stort ansvar för arbetet inom projektet och som kommer fortsätta som industridoktorand med start i januari 2025.