Ny LIGBT med banbrytande prestanda

Diarienummer 2013-03928
Koordinator Uppsala universitet - Institutionen för teknikvetenskaper
Bidrag från Vinnova 3 600 000 kronor
Projektets löptid november 2013 - juni 2018
Status Pågående

Syfte och mål

I detta projekt ska en ny unik komponentidé undersökas och vidareutvecklas med målet att leverera bandbrytande prestanda för kiselbaserad RF-teknologi. Den nya komponenten, vilken har patenterats av projektdeltagarna, bygger på en unik kombination av en MOSFET struktur och en bipolär struktur, vilka tillsammans bildar en ny unik latchfri LIGBT komponent. Denna nya komponent har potential att leverera en faktor 10x högre ström än nuvarande kommersiella transistorer, samtidigt som hög spänningstålighet bibehålls och ineffekt kraftigt reduceras.

Förväntade effekter och resultat

Sammanfattningsvis, kommer det projektet att demonstrera banbrytande prestanda för en ny latchfri LIGBT komponent. Den nya komponentteknologin kommer att erbjuda banbrytande prestanda som utökar området för kiselbaserad RF-teknologi, och gör det möjligt för nya svenska företag inom komponent- och systemindustrin. Viktiga mål för projektet är också att etablera den nya komponentteknologin på ett kommersiellt foundry och leverera fullskaliga prototyper till potentiella kunder.

Planerat upplägg och genomförande

Projektet kommer att genomföras i nära samarbete mellan Uppsala Universitet och Comheat Microwave AB, vilka tidigare har haft långt och framgångsrikt samarbete.

Externa länkar

http://www.sse.uu.se/forskning/Komponentforskning/rf-ligbt/?languageId=3

Texten på denna sida har projektgruppen själv formulerat och innehållet är ej granskat av våra redaktörer. Projektets koordinator kan ge dig mer information.