ECSEL 2018 RIA UltimateGaN ”SweGaN”
| Diarienummer | |
| Koordinator | SweGaN AB |
| Bidrag från Vinnova | 3 066 354 kronor |
| Projektets löptid | maj 2019 - april 2022 |
| Status | Avslutat |
| Utlysning | ECSEL |
Viktiga resultat som projektet gav
Det mesta av syftet och målen har tagits upp och uppfyllts i projektet.
Långsiktiga effekter som förväntas
1. Skala upp den buffertfria GaN-on-SiC MOCVD-processen till 6´´ är klar. Förbättrade "epitaxial stacks" för att förbättra spänningsblockeringsförmågan och för att minska "trapping". 2. Byggd laserbaserad skivskärningsuppsättning som skär och gör linjeskada inuti SiC-bulkkristall. Men på grund av den begränsade laserprestandan kan linjeskador inte fokuseras och kontrolleras väl 3. Ny termisk ytpolering utvecklad för att uppnå atomärt plan SiC-ytmorfologi 4. 4´´ 2 cm tjock halvisolerande SiC-kristalltillväxt utvecklades. SI-egenskapens enhetlighet över kristallen behöver förbättras ytterligare
Upplägg och genomförande
Uppgifterna för forskning och utveckling var väl utformade i ett uppifrån-och-ned-perspektiv. Vi delade upp det slutliga målet till många olika uppgifter och milstolpar. De genomfördes nästan parallellt för att vara effektiva.