Du har inte javascript påslaget. Det innebär att många funktioner inte fungerar. För mer information om Vinnova, ta kontakt med oss.

ECSEL 2018 RIA UltimateGaN RISE

Diarienummer
Koordinator RISE Research Institutes of Sweden AB - Avdelningen Sensorsystem
Bidrag från Vinnova 5 110 590 kronor
Projektets löptid maj 2019 - oktober 2022
Status Avslutat

Viktiga resultat som projektet gav

Syftet med projektet var att utveckla svensk kompetens och innovation inom GaN-material, komponenter och system för kraftelektronik. Två materialinnovationer vidareutvecklades och fördes närmare industrialisering och uppskålning. Hexagems coalesced nanotråd teknik kunde demonstrera tillväxten av tjock GaN-epitaxi med låg defekt densitet för framtidens kraftkomponenter. SweGaN QuanFine-materialet möjliggjorde demonstrationen av state-of-the-art prestanda för breakdown spänning med GaN HEMT-komponenter på 4" waferproduktion inom Electrum-laboratoriet.

Långsiktiga effekter som förväntas

UltimateGaN-projektet har i hög grad bidragit till utvecklingen av GaN-materialteknik i Europa. Ett stort europeiskt ekosystem har etablerats och kommer att fortsätta att växa i framtida projekt. I Sverige har industripartnerna SweGaN och Hexagem vidareutvecklat sin GaN-epitaximaterialteknik med hjälp av RISE-kompetens och test- och demoanläggningarna ProNano och Electrum. RISE ökade sin kompetens med brett bandgapmaterial, komponenter, integration och system för kraftelektronik och utvecklade en GaN HEMT-tillverkningsprocess som nu är tillgänglig för industrin.

Upplägg och genomförande

Projektet samordnades mycket effektivt på EU-nivå av Infineon Austria och leddes tekniskt av arbetspaketledare. RISE samverkade inom WP1 som leddes av IMEC, WP2 som leddes av Infineon Austria och WP4 som leddes av SAL i Österrike. En intern programledare ledde flera enheter och geografiska platser på RISE: 1) ProNano i Lund för utveckling av tekniken för coalesced nanotrådar, 2) Electrum i Stockholm/Linköping för utveckling av QuanFine GaN på SiC-teknik och 3) RISE Packaging grupp i Mölndal för utveckling av 3D-utskriftsteknik för förpackning av GaN HEMT komponenter.

Externa länkar

Texten på den här sidan har projektgruppen själv formulerat. Innehållet är inte granskat av våra redaktörer.

Senast uppdaterad 3 januari 2023

Diarienummer 2019-01201