ECSEL 2018 RIA UltimateGaN RISE
| Diarienummer | |
| Koordinator | RISE Research Institutes of Sweden AB - Avdelningen Sensorsystem |
| Bidrag från Vinnova | 5 110 590 kronor |
| Projektets löptid | maj 2019 - oktober 2022 |
| Status | Avslutat |
Syfte och mål
Syftet med projektet var att utveckla svensk kompetens och innovation inom GaN-material, komponenter och system för kraftelektronik. Två materialinnovationer vidareutvecklades och fördes närmare industrialisering och uppskålning. Hexagems coalesced nanotråd teknik kunde demonstrera tillväxten av tjock GaN-epitaxi med låg defekt densitet för framtidens kraftkomponenter. SweGaN QuanFine-materialet möjliggjorde demonstrationen av state-of-the-art prestanda för breakdown spänning med GaN HEMT-komponenter på 4" waferproduktion inom Electrum-laboratoriet.
Resultat och förväntade effekter
UltimateGaN-projektet har i hög grad bidragit till utvecklingen av GaN-materialteknik i Europa. Ett stort europeiskt ekosystem har etablerats och kommer att fortsätta att växa i framtida projekt. I Sverige har industripartnerna SweGaN och Hexagem vidareutvecklat sin GaN-epitaximaterialteknik med hjälp av RISE-kompetens och test- och demoanläggningarna ProNano och Electrum. RISE ökade sin kompetens med brett bandgapmaterial, komponenter, integration och system för kraftelektronik och utvecklade en GaN HEMT-tillverkningsprocess som nu är tillgänglig för industrin.
Upplägg och genomförande
Projektet samordnades mycket effektivt på EU-nivå av Infineon Austria och leddes tekniskt av arbetspaketledare. RISE samverkade inom WP1 som leddes av IMEC, WP2 som leddes av Infineon Austria och WP4 som leddes av SAL i Österrike. En intern programledare ledde flera enheter och geografiska platser på RISE: 1) ProNano i Lund för utveckling av tekniken för coalesced nanotrådar, 2) Electrum i Stockholm/Linköping för utveckling av QuanFine GaN på SiC-teknik och 3) RISE Packaging grupp i Mölndal för utveckling av 3D-utskriftsteknik för förpackning av GaN HEMT komponenter.