SMF C3NiT: Semi-vertikala GaN Schottkydioder på kisel

Viktiga resultat som projektet gav

Projektets övergripande mål var att demonstrera Hexagems koalescensteknologi på kiselsubstrat och tillverka semi-vertikala komponenter i form av Schottkydioder. Syftet med projektet var att skynda på utvecklingen av koalescensteknologin på Si för att snabbare kunna nå ut mot industriella spelare på kraftelektroniksmarknaden och skapa intresse för samarbetsprojekt för uppskalning och verifiering av materialteknologin på kommersiell skala.

Långsiktiga effekter som förväntas

Projektet har lett till utveckling av sprickfria GaN skikt på 50mm kiselsubstrat med upp till 4 mikrometer tjocka GaN lager. Kvaliteten på dessa lager uppnår mycket hög standard, jämförbar (eller något bättre) än resultat från industriell forskning. Vidare har komponentstrukturer tillverkats för Schottkydioder som visat på mycket goda framspänningskarakteristik men dock med förhöjd läckström i backriktning. Resultaten har medfört påtagligt intresse hos industriella parter och diskussiner kring samarbeten för uppskalning till 150mm substrat pågår.

Upplägg och genomförande

Projektet har genomförts med tre projektpartners, Hexagem, Chalmers och LiU. Materialutvecklingen har skett av Hexagem med karakteriseringshjälp av LiU och komponentdesign, processning samt elektrisk karakterisering av Chalmers. Arbetsflödena mellan partners har fungerat ypperligt med bra diskussioner kring resultat och planering av efterföljande åtgärder. Det största hindret, som också orskat förseningar, har legat på logistiksidan med förseningar i substrat och processleveranser utanför konsortiet till följd av de världsomspännande logistikproblemen.