GaN6G+: Låser upp prestanda och effektivitet i framtidens 6G effektförstärkare

Syfte och mål

Projektet syftar till att öka effektiviteten, prestandan och förståelsen för GaN-baserade effektförstärkare (7–15 GHz) för 6G och försvarsapplikationer. Genom förbättrad epitaxidesign av QuanFINE®-teknologi och optimering av komponentprocessning kommer HEMT- och MMIC-komponenter prestanda optimeras med avseende på effektivitet och strömtäthet. Projektet kommer att höja teknikmognadsnivån, vilket möjliggör en mer energieffektiv och hållbar infrastruktur.

Förväntade effekter och resultat

Projektet levererar validerade HEMTs och MMICs, förbättrade modeller och specifikationer samt höjer TRL från 3 till 5. Resultaten möjliggör mer energieffektiva och pålitliga PAs för 6G och försvar, vilket minskar energiförbrukning och värmeutveckling. Detta stärker Sveriges position inom telekom och försvar samt bidrar till hållbar, framtidssäker trådlös infrastruktur.

Planerat upplägg och genomförande

Projektet leds av SweGaN, som även ansvarar för epitaxiutvecklingen av QuanFINE®. Chalmers kommer att genomföra modellering, komponentprocessning samt empirisk transistormodellering. De framtagna modellerna kommer att användas av Ericsson och SAAB för design och utvärdering av effektförstärkare (PA). Parallellt kommer industriell tillverkning att utföras hos UMS. Genom samarbetet kopplas material- och processegenskaper till PA-prestanda för att optimera effektivitet, uteffekt och linearitet.