E!113749, LPCVD, Kiselkarbid i Stockholm AB

Viktiga resultat som projektet gav

På grund av förseningar kommer produktionssystemet att tas i drift först under 2026. Det har gjorts stora framsteg i utvärdering, bearbetning och förståelse av källmaterialtillverkning. Dessa framsteg kommer påskynda kvalificeringen av produktionssystemet när det sätts igång. Utvecklingen av produktionssytemet kommer att fortsätta även efter projektets slutdatum och alla målen i projektet kommer att uppnås.

Långsiktiga effekter som förväntas

Efter slutförande av projektet kommer vår 4H-SiC process bli än mer konkurrenskraftig tack vare kombinationen av industriledande kristallkvalitet och en konkurrenskraftig produktionskostnad.

Upplägg och genomförande

Målet med detta projekt var att ta fram en process för produktion av 3C-SiC kristall känt som beta-SiC för användning som källmaterial i vår tillväxtprocess som tillverkar monokristallina 4H-SiC substrat för användning i kraftelektronik. I och med förseningar, mestadels på grund av COVID-epidemin, har inte tidsplanen kunnat följas i planerad takt, men arbetet fortgår och start och kvalificering av produktionssystemet planeras under 2026.