HPM-skydd av AESA baserat på GaN

Syfte och mål

Syftet med projektet var att utreda GaN-LNAers tålighet vid hög påstrålad effekt, identifiera faktorer som påverkar denna och ta fram metoder för att förbättra tåligheten. Projektet har lett till flera genombrott i förståelsen för både tålighet och återhämtningstid hos GaN-LNAer. I synnerhet identifierades fällor i GaN-materialet som en viktig begränsande faktor för återhämtningstiden efter en högeffektspuls och flera optimeringar i tillverkningsprocessen påvisades kunna motverka detta problem.

Resultat och förväntade effekter

Den ökade förståelsen för återhämtningstid och tålighet hos GaN-LNAer ger Saab bättre förutsättningar att utveckla sensorer med tillräckligt skydd mot HPM-hot utan att ge avkall på prestanda och kostnad. Det ökar också vår förmåga att ge input till foundries angående framtida utveckling av GaN-teknologier. Saab är en viktig tidig kund för europeiska GaN-foundries vilket ger oss möjlighet att påverka framtida GaN-processer mot våra behov.

Upplägg och genomförande

Projektet har genomförts i nära samarbete mellan industri och högskola med Saab som kravställare och projektledare. LiU har bidragit med optimering och tillverkning av epistrukturer. Mätningar och studier av felmekanismer samt tillverkning av transistorer och kretsar har genomförts på Chalmers. Design och utvärdering av de kretsar som producerats inom projektet har utförts av Saab. Arbetet har bedrivits med kvartalsvisa uppföljningsmöten.