Högtemperatur diod för kompakt kraftelektronik

Diarienummer 2012-02822
Koordinator ASCATRON AB
Bidrag från Vinnova 1 900 000 kronor
Projektets löptid december 2012 - maj 2014
Status Avslutat

Syfte och mål

Projektet syftar till att ta fram en kiselkarbid (SiC) diod som fungerar väl vid höga temperaturer och därmed möjliggör mycket kompakt och effektiv kraftelektronik utan krav på komplicerad kylning. Utgångspunkten är ett nytt diodkoncept som kombinerar Schottky dioder med begravda PN dioder för effektivare blockering. I projektet har vi tagit fram dioder för 10A som blockerar över 1700V och fungerar vid 250C med en läckström som är 100 gånger lägre än bästa kommersiella komponenten.

Resultat och förväntade effekter

Projektet har inneburit att Ascatron kunnat optimera och demonstrerat en ny diodkonstruktion för krävande krafttillämpningar som baseras på vår unika materialteknologi för kiselkarbid (3DSiC). Det har resulterat i att utveckling mot konkreta produkter nu fortsätter tillsammans med flera partners och kunder. Förväntade effekter på kort sikt är försäljning av kundanpassade dioder för olika nischapplikationer, och på längre sikt licensiering av teknologin och tillverkning av eptaxi till volymapplikationer.

Upplägg och genomförande

Projektet genomfördes enligt plan. Under hela projektet har vi haft omfattande diskussioner med potentiella kunder för verifiering av målspecifikation. Utvecklingsarbete har skett i flera omgångar med optimering av konstruktion, processutveckling, prototyptillverkning och utvärdering som input till nästa omgång. Komponenter har kapslats och prestanda har jämförts med kommersiella komponenter. Resultat presenterades på vetenskaplig konferens (HITEC 2014).

Texten på denna sida har projektgruppen själv formulerat och innehållet är ej granskat av våra redaktörer. Projektets koordinator kan ge dig mer information.