ECSEL 2017 RIA "5G-GaN2" "SweGaN"

Syfte och mål

Huvuddelen av målen för projektet har uppfyllts. Det kan även noteras att projektet även lett till kommersiella samarbeten.

Resultat och förväntade effekter

18 olika GaN-on-SiC HEMT-heterostrukturer realiserades och levererades till partnerna för att bearbeta, utvärdera och benchmarka materialets prestanda och tillförlitlighet på enhetsnivå. Våra unika buffertfria GaN-on-SiC-heterostrukturer visade konkurrenskraftiga enhetsprestanda när det gäller enhetlighet, läckström, effekteffektivitet och densitet. Den största höjdpunkten för vårt material i benchmarking-aktiviteten var överlägsenheten hos materialets robusthet under tillförlitlighetsstresstesterna vid hög temperatur. Alla enheter gjorda på QuanFINE klarade stresstestet.

Upplägg och genomförande

Uppgifterna för vår forskning och utveckling drevs i hög grad av våra partners behov och mål. De 18 olika heterostrukturerna var resultatet av samarbetet med partnerna, som började från att samla in de önskvärda enhetsegenskaperna från partnerna, till att utveckla materialtillväxten och sedan samla in enhetsfeedback för att fastställa korrelationerna mellan materialet och enhetens resultat. Och sedan upprepade vi cykeln för att uppnå de slutgiltiga målen.