Doktorandarbete - Utvärdering av olika Gate Drivningskoncept för SiC halvledare del 2

Syfte och mål

För att kunna utvärdera lämpliga drivdon tillsammans med det senaste inom SiC-teknologin, som är projektets syfte har följande gjorts: 1. Silicon Carbide MOSFET utvärderad tillsammans med olika varianter av Drivdon. Viktigaste delarna av arbetet är publicerat på EPE´15 ECCE Europe konferensen i Geneva och kommer att bli publicerat på IPEMC 2016-ECCE Asia i Hefei. 2. Styrbarhet och kortslutningsbeteende av SiC MOSFET har undersökts för att kunna optimera tågsystemet med olika tänd och släckbeteende.

Resultat och förväntade effekter

Förlusteffekt med olika drivdonslösningar och moduler med SiC MOSFET teknologi är uppmätta. Våra prov visar att komplexiteten hos drivdon är högre med JFET-teknologi än MOSFET-teknologi. Förlusteffekterna i strömriktaren blir väsentligt mycket lägre med SiC MOSFET än med en kisel-IGBT som är dagens standardhalvledare, vilket också visades i publikationen presenterad i Geneva. Det kan potentiellt bidra till ett mer energieffektivt tågdrivsystem. Kvarstående frågor är framförallt tillförlitligheten och priset.

Upplägg och genomförande

Arbetet har lagts upp som ett doktorsarbete 1. Doktorandkurser för att få en djupare förståelse för SiC-teknologi och strömriktare/drivsystem i allmänhet. 2. Litteraturstudie för att undersöka för hur omvärlden analyserar drivdonslösningar 3. Uppbyggnad av prototypdrivdon. 4. Utvärdering av dessa drivdon tillsammans med prototypmoduler av SiC-teknologi.