Dislokationsfri GaN - Ett banbrytande material inom RF-elektronik
| Diarienummer | |
| Koordinator | Lunds universitet - Fysiska Institutionen | 
| Bidrag från Vinnova | 1 955 031 kronor | 
| Projektets löptid | januari 2016 - januari 2018 | 
| Status | Avslutat | 
Viktiga resultat som projektet gav
Målet för projektet var att förbereda kommersialiseringen av en ny waferteknik från Lunds Universitet. Teknologin är unik och möjliggör produktion av helt dislokationsfria GaN-wafers för tillämpning inom kraftelektronik och RF-elektronik.
Långsiktiga effekter som förväntas
Vid projektets slut har en strategi för kommersialisering utvecklats. Parallellt har den underliggande teknologin anpassats för att passa det planerade produkterbjudandet.
Upplägg och genomförande
I stort har projektet slutförts i enlighet med den ursprungliga projektplanen. Ett fåtal leverabler modifierades under projektets gång för att spegla resultaten av affärsutvecklingen.
