Du har inte javascript påslaget. Det innebär att många funktioner inte fungerar. För mer information om Vinnova, ta kontakt med oss.

Dislokationsfri GaN - Ett banbrytande material inom RF-elektronik

Diarienummer
Koordinator Lunds universitet - Fysiska Institutionen
Bidrag från Vinnova 1 955 031 kronor
Projektets löptid januari 2016 - januari 2018
Status Avslutat

Viktiga resultat som projektet gav

Målet för projektet var att förbereda kommersialiseringen av en ny waferteknik från Lunds Universitet. Teknologin är unik och möjliggör produktion av helt dislokationsfria GaN-wafers för tillämpning inom kraftelektronik och RF-elektronik.

Långsiktiga effekter som förväntas

Vid projektets slut har en strategi för kommersialisering utvecklats. Parallellt har den underliggande teknologin anpassats för att passa det planerade produkterbjudandet.

Upplägg och genomförande

I stort har projektet slutförts i enlighet med den ursprungliga projektplanen. Ett fåtal leverabler modifierades under projektets gång för att spegla resultaten av affärsutvecklingen.

Texten på den här sidan har projektgruppen själv formulerat. Innehållet är inte granskat av våra redaktörer.

Senast uppdaterad 8 maj 2017

Diarienummer 2015-04876