Doktorandarbete - Utvärdering av olika Gate Drivningskoncept för SiC halvledare

Diarienummer 2012-03699
Koordinator Bombardier Transportation Sweden AB - Propulsion & Controls
Bidrag från Vinnova 1 165 000 kronor
Projektets löptid november 2012 - december 2014
Status Avslutat

Syfte och mål

För att kunna utvärdera lämpliga drivdon tillsammans med det senaste inom SiC-teknologin, som är projektets syfte har följande gjorts: 1. Silicon Carbide JFET (Infineon demonstrator) utvärderad tillsammans med olika varianter av Bombardiers gate drive. Viktigaste delarna av arbetet publicerat EPE2014 i Lappeenranta, Finland. 2. Styrbarhet av både JFET och MOSFET har undersökts för att kunna optimera tågsystemet med olika tänd och släckbeteende.

Resultat och förväntade effekter

Förlusteffekt med olika drivdonslösningar och moduler med SiC teknologi är uppmätta. Våra prov visar att komplexiteten hos drivdon är högre med JFET-teknologi än MOSFET-teknologi. Förlusteffekterna i strömriktaren blir väsentligt mycket lägre med JFET än med en kisel-IGBT som är dagens standardhalvledare, vilket också visades på presentationen i Finland. Det kan potentiellt bidra till ett mer energieffektivt tågdrivsystem.

Upplägg och genomförande

Arbetet har lagts upp som ett doktorsarbete 1. Doktorandkurser för att få en djupare förståelse för SiC-teknologi och strömriktare/drivsystem i allmänhet. 2. Litteraturstudie för att undersöka för hur omvärlden analyserar drivdonslösningar 4. Utvärdering av drivdon tillsammans med prototypmoduler av SiC-teknologi.

Texten på denna sida har projektgruppen själv formulerat och innehållet är ej granskat av våra redaktörer.