Högtemperatur diod för kompakt kraftelektronik

Reference number
Coordinator ASCATRON AB
Funding from Vinnova SEK 1 900 000
Project duration December 2012 - May 2014
Status Completed

Purpose and goal

Projektet syftar till att ta fram en kiselkarbid (SiC) diod som fungerar väl vid höga temperaturer och därmed möjliggör mycket kompakt och effektiv kraftelektronik utan krav på komplicerad kylning. Utgångspunkten är ett nytt diodkoncept som kombinerar Schottky dioder med begravda PN dioder för effektivare blockering. I projektet har vi tagit fram dioder för 10A som blockerar över 1700V och fungerar vid 250C med en läckström som är 100 gånger lägre än bästa kommersiella komponenten.

Results and expected effects

Projektet har inneburit att Ascatron kunnat optimera och demonstrerat en ny diodkonstruktion för krävande krafttillämpningar som baseras på vår unika materialteknologi för kiselkarbid (3DSiC). Det har resulterat i att utveckling mot konkreta produkter nu fortsätter tillsammans med flera partners och kunder. Förväntade effekter på kort sikt är försäljning av kundanpassade dioder för olika nischapplikationer, och på längre sikt licensiering av teknologin och tillverkning av eptaxi till volymapplikationer.

Approach and implementation

Projektet genomfördes enligt plan. Under hela projektet har vi haft omfattande diskussioner med potentiella kunder för verifiering av målspecifikation. Utvecklingsarbete har skett i flera omgångar med optimering av konstruktion, processutveckling, prototyptillverkning och utvärdering som input till nästa omgång. Komponenter har kapslats och prestanda har jämförts med kommersiella komponenter. Resultat presenterades på vetenskaplig konferens (HITEC 2014).

The project description has been provided by the project members themselves and the text has not been looked at by our editors.